中國國家層面氮化鎵行業政策匯總及解讀情況

2022-05-11 14:51:57來源：前瞻網

1、中國氮化鎵行業政策歷程圖

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)并稱為第三代半導體材料的“雙雄”，是第三代半導體材料的典型代表。

2016年，《“十三五”國家科技創新規劃》，提出發展微電子和光電子技術，重點加強極低功耗芯片、新型傳感器、第三代半導體芯片和硅基光電子、混合光電子、微波光電子等技術與器件的研發。發展先進功能材料技術，重點是第三代半導體材料、納米材料、新能源材料、印刷顯示與激光顯示材料、智能/仿生/超材料、高溫超導材料、稀土新材料、膜分離材料、新型生物醫用材料、生態環境材料等技術及應用。

2021年，《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》提出瞄準人工智能、量子信息、集成電路、生命健康、腦科學、生物育種、空天科技、深地深海等前沿領域，實施一批具有前瞻性、戰略性的國家重大科技項目。集成電路領域包括設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發，集成電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微機電系統(MEMS)等特色工藝突破，先進存儲技術升級，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發展。

2、中國國家層面氮化鎵行業政策匯總及解讀情況

——中國國家層面氮化鎵行業政策匯總

第三代半導體材料行業是我國重點鼓勵發展的產業，是支撐經濟社會發展和保障國家安全的戰略性和基礎性產業。“十三五”時期以來，國家層面的政府部門發布了多項關于半導體行業、半導體材料行業的支持、引導政策，這些鼓勵政策涉及減免企業稅負、加大資金支持力度、建立產業研發技術體系等等：

2)《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》政策解讀

集成電路產業和軟件產業是信息產業的核心，是引領新一輪科技革命和產業變革的關鍵力量。為進一步優化集成電路產業和軟件產業發展環境，深化產業國際合作，提升產業創新能力和發展質量，國務院于2020年7月發布《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》，《政策》在財稅、投融資、研究開發、進出口、人才、知識產權、市場應用以及國際合作八個方面闡述了支持舉措。其中與氮化鎵相關的內容如下：

3)《重點新材料首批次應用示范指導目錄(2019版)》解讀

為進一步做好重點新材料首批次應用保險補償試點工作，工信部于2019年12月發布的《重點新材料首批次應用示范指導目錄(2019版)》(自2020年1月1日起施行)，其中關于氮化鎵材料的入選情況如下：

4)中國國家層面氮化鎵行業發展目標解讀

根據中國半導體行業協會數據顯示，2020年底我國集成電路市場規模達到8848億元;在《中國制造2025》中針對集成電路產業的市場規模、產能規模等提出了具體的量化目標：

3、中國各省市層面氮化鎵行業政策匯總及解讀情況

——中國31省市氮化鎵行業政策匯總

除了國家層面的支持政策外，我國地方各級政府也進一步支持氮化鎵產業的發展，支持的方面包括集群培育、科研獎勵、人才培育以及項目招商等，各地通過政策將實質性的人、財、物資源注入，推動著各地產業集聚加速：

2)中國31省市氮化鎵行業發展目標解讀

2020年10月29日，第十九屆中央委員會第五次全體會議審議通過了《中共中央關于制定國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標的建議》。

建議明確提出，十四五規劃中提到的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)均為第三代寬禁帶半導體材料，其中氮化鎵用于半導體器件中時，具備耐高溫、高開關頻率、低導通電阻、高效率、化學性質穩定等優異特性，不過受限于制造工藝、應用成本等因素的限制，多年以來氮化鎵僅實現小范圍應用。

而后全國各地也緊隨其后，針對性的發布了各自的第十四個五年規劃和二〇三五年遠景目標建議，其中多地明確提出將聚焦發展氮化鎵產業。

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