SK海力士開始量產(chǎn)基于1a nm級工藝技術(shù)的8Gigabit

SK海力士宣布，已在本月開始量產(chǎn)基于1a nm級工藝技術(shù)的8Gigabit(Gb)LPDDR4移動端DRAM產(chǎn)品，這屬于第四代10nm制程技術(shù)，是專為移動終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格。

10nm級DRAM產(chǎn)品開始，半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)將每一代工藝節(jié)點(diǎn)都以標(biāo)注字母的方式起名，第一代是1x nm、第二代是1y nm、第三代是1z nm、第四代是1a nm，SK海力士預(yù)計(jì)從今年下半年開始就可以向智能手機(jī)制造廠商供應(yīng)1a nm級工藝技術(shù)的移動端DRAM產(chǎn)品。這次比較特別的是，SK海力士通過部分采用了EUV(極紫外)技術(shù)，完成了對其穩(wěn)定性的驗(yàn)證，首次使用EUV光刻設(shè)備進(jìn)行量產(chǎn)。

SK海力士表示，非常期待新技術(shù)帶來的生產(chǎn)力提升，并在成本上進(jìn)一步提升競爭力。預(yù)計(jì)采用1a nm級工藝技術(shù)可以在使用相同尺寸晶圓的情況下，生產(chǎn)的DRAM產(chǎn)品數(shù)量比前一代的1z nm級工藝技術(shù)增加25%，這有助于緩解全球市場的供應(yīng)短缺情況。隨著技術(shù)的遷移，越來越多的半導(dǎo)體企業(yè)采用EUV光刻設(shè)備生產(chǎn)芯片，一家半導(dǎo)體企業(yè)在技術(shù)上的領(lǐng)先取決于如何充分利用DUV光刻設(shè)備。

新產(chǎn)品的速率將穩(wěn)定在4266 Mbps，是標(biāo)準(zhǔn)LPDDR4移動端DRAM規(guī)范中最快的傳輸速率，同時功耗將降低20%，SK海力士將從明年初開始將1a nm級工藝技術(shù)應(yīng)用于旗下的DDR5產(chǎn)品。在未來，三星和美光都將啟用EUV光刻設(shè)備生產(chǎn)DRAM產(chǎn)品，但美光會更晚一些，按計(jì)劃要等到2024年。

關(guān)鍵詞： 第四代10nm制程技術(shù) SK海力士 8Gigabit 量產(chǎn)