厲害了！三星將推出176層V-NAND閃存的PCI-E 4.0/5.0存儲設備

三星在2013年推出了第一款量產的3D NAND存儲器，稱為V-NAND，并因此領先于競爭對手。三星是從24層V-NAND閃存開始，逐漸積累了豐富的經驗，近期有望推出搭載176層V-NAND閃存的存儲設備。三星表示，未來V-NAND的層數可能會超過1000層。

據TomsHardware報道，三星計劃開始生產采用第七代V-NAND技術的消費類固態硬盤，具有176層。三星表示，這是業界最小的NAND存儲單元。這款新閃存將擁有2000 MT/s的數據傳輸速率，讓三星可以構建PCI-E 4.0和PCI-E 5.0接口的超高速固態硬盤。這些存儲設備將使用全新的主控芯片，會針對多任務、大工作量的負載進行優化。下一步三星會推出基于176層V-NAND閃存的數據中心級別固態硬盤，會有更強的性能和容量。

雖然176層V-NAND閃存接近量產，但三星開始開始制造采用第八代V-NAND技術的芯片樣品，新一代產品會有200層。三星表示會根據市場需求決定什么時候開始批量生產，一般12至18個月會進行更新，參照這樣的時間表，搭載200層V-NAND閃存的存儲設備什么時候出來還是可以大概判斷的。

三星和其他NAND閃存制造商在追求層數的過程中會面臨幾個挑戰，包括NAND存儲單元更小需要使用新材料或蝕刻層數越多越困難等。由于蝕刻層數增加，可能變得不可行或經濟效益降低，因此制造商會使用堆疊等技術手段。

今年早些時候SK海力士表示，將按計劃推進600層以上3D NAND閃存的研發，因此三星并不是唯一一個制定這方面計劃的企業。

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