海力士宣布成功研發176層4D NAND閃存

2020-12-08 10:41:26

來源：觀察者網

12月7日，韓國半導體公司SK海力士表示，近期已成功研發出基于三層存儲單元(TLC)的176層512Gb(千兆位)NAND閃存。

據韓聯社12月7日報道，SK海力士介紹，第三代4D NAND閃存達到業界最高水平，比上一代128層產品提高了35%以上生產率，增強了產品成本競爭力。另外，SK海力士新產品的讀取速度比上一代加快20%，數據傳輸速度達到每秒1.6Gb，提高了33%。

上月，SK海力士于向控制器企業提供了NAND樣品，計劃明年6月左右批量生產，并依次推出消費者級SSD、企業級SSD等產品，擴大各應用領域的市場。另一方面，韓國的三星電子也正在研發第七代V-NAND，預計明年批量生產。

關鍵詞： 4D NAND閃存